Магазин на Ленинском
Юг Москвы: ул. Орджоникидзе, д. 11, стр. 44. Главная проходная "Бизнес парка Орджоникидзе".
Режим работы
с 09:30 до 19:30 Понедельник — пятница
с 10:30 до 16:00 Суббота - воскресенье
обратный звонок
Нажимая на кнопку «Перезвонить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных.
Корзина
Москва +7 (495) 640-55-42
Артикул: 19452
Для юр. лиц 0 р.
уточняйте у менеджера

Оперативная память 4Gb DDR-III 1333MHz Silicon Power SO-DIMM (SP004GBSTU133V02)

Производитель: Silicon Power
Код производителя: SP004GBSTU133V02
Сайт производителя: www.silicon-power.com
Страна производитель: Китай
Гарантия производителя: 60 мес.
Форм-фактор: SO-DIMM
Тип памяти: DDR-3
Объём памяти: 4096 Мб
Объем одного модуля: 4096 Мб
Количество модулей в комплекте: 1
Смотреть все
Общие характеристики
Производитель Silicon Power
Код производителя SP004GBSTU133V02
Сайт производителя www.silicon-power.com
Страна производитель Китай
Гарантия производителя 60 мес.
Форм-фактор SO-DIMM
Тип памяти DDR-3
Объём памяти 4096 Мб
Оперативная память
Объем одного модуля 4096 Мб
Количество модулей в комплекте 1
Тактовая частота 1333 МГц
Пропускная способность 10600 Мб/с
Тайминги
CAS Latency (CL) 9
RAS to CAS Delay (tRCD) 9
Row Precharge Delay (tRP) 9
Прочее
Напряжение питания 1.5 В
Физические параметры
Вес 0.1 кг
Оперативная память 4Gb DDR-III 1333MHz Silicon Power SO-DIMM (SP004GBSTU133V02)
Артикул: 19452
Для юр. лиц 0 р.
уточняйте у менеджера
Общие характеристики
Производитель Silicon Power
Код производителя SP004GBSTU133V02
Сайт производителя www.silicon-power.com
Страна производитель Китай
Гарантия производителя 60 мес.
Форм-фактор SO-DIMM
Тип памяти DDR-3
Объём памяти 4096 Мб
Оперативная память
Объем одного модуля 4096 Мб
Количество модулей в комплекте 1
Тактовая частота 1333 МГц
Пропускная способность 10600 Мб/с
Тайминги
CAS Latency (CL) 9
RAS to CAS Delay (tRCD) 9
Row Precharge Delay (tRP) 9
Прочее
Напряжение питания 1.5 В
Физические параметры
Вес 0.1 кг