Товар временно отсутствует в продаже.
По всем вопросам обращайтесь к нашему менеджеру
Характеристики
Общая информация
БрендSamsung
Гарантия производителя3 года
Страна производительКитай
Код производителяMZ-75E1T0BW
Линейка850 EVO Series
Тип ячеек памяти3D V-NAND
ИнтерфейсSATAIII
Основная информация
Тип флэш-памятиTLC
КонтроллерSamsung MGX
Объём буферной памяти1024 Мб
Скорость чтения540 Мб/сек
Скорость записи520 Мб/сек
Время наработки на отказ1500000 ч
Объём1000 Гб
Диск
Назначениедля ноутбука
ТипSSD
Внешняя скорость передачи данных600 Мб/с
Объем буфера1024.0 Мб
Объем1 ТБ Гб
Скорость чтениядо 540ек МБ/с
Скорость записидо 520ек МБ/с
Формфактор2.5"
Ударостойкость при хранении1500 G
Ударостойкость при работе1500 G
Тип накопителяВнутренний
Свойства SSD
Контроллер SSDSamsung MDX (3 ядра ARM Cortex R4)
Время наработки на отказ1.5 млн часов
Параметры NAS (кроме RAID и интерфейсов)
Шифрование данныхесть
Интерфейсы
ИнтерфейсSATA-III
Внутренний стандарт SATA6Gb/s
Поддержка NCQесть
Питание
Потребляемая мощность4.4 Вт
Прочее
Дополнительная информацияреализована фирменная технология 3D V-NAND (3D Vertical NAND Flash Memory), преимущества относительно традиционной 2D Planar NAND: повышены быстродействие, энергоэффективность и надежность SSD (ресурс: 150 Тбайт записи) по сравнению с аналогами предыдущего поколениятолщина 7 мм
Физические параметры
Ширина69.85 мм
Высота6.8 мм
Глубина100 мм
Размеры100 x 69.85 x 6.8 мм
Вес0.55 кг
Информация о технических характеристиках, комплекте поставки, стране изготовления, внешнем виде и цвете товара носит справочный характер и основывается на последних доступных к моменту публикации сведениях